Все продукты

STW56N65DM2

Stmicroelectronics STW56N65DM2 Power MOSFET, N -KANAL, 49 A, 650 Е, 0,049 ОМ, 10 В, 3 В

Проиджоделх: Stmicroelectronics
Origchip №: 761-STW56N65DM2
Епаково: 247-3
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 783
Описани: Stmicroelectronics STW56N65DM2 Power MOSFET, N -KANAL, 49 A, 650 Е, 0,049 ОМ, 10 В, 3 В (К.)

Поку Ипрос

Покупра

Весельнее
Мы настоятельно рекомендуем вам войти в систему перед покупкой, поскольку вы можете отслеживать свой заказ в режиме rernogo vremenyni.

Плате

Дн -вуд -мг -мкринимайм. псевдод.

Rfq (зaproys nanaitatы)

RonkomeNyOtsemy -aproytth
Начиная с того, что я не знаю, что

Вес

1. (Poжaluйsta, ne abudate oprowriotth papku -spama, esli -ne -ne -slышali Ot nas).
2. Сообщите, что -то вроде.

Степ

ДОПОЛНИТЕЛЬНО 40 ДОЛЛОРОВ, НЕКОТОРСА Naprimer (южnamana apaprika, braзilaipa, Индель
Otsnownoй gruз (ophotwytwathyй ≤0,5.

МЕСТОДОД

В.Е.

Срок.Постаски

Пео, КОН, КОДА, ПРЕДАПОН

FedEx International, 5-7 RABOSHIх DNEй.

Назнайджеский и 1 -го.
transport

Парметр
Верна -	17
Статус жIзnennogogo цikla	Активна (postedonniй obnownen: 8 мая.
Управый	Чereз dыru
МОНТАНАНГИП	Чereз dыru
PakeT / KORPUES	247-3
Колист	3
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C TJ
Упако	Трубка
В припании	MDMESH ™ DM2
Статус	Актифен
Вернояж	1 (neograniчennnый)
КОД ECCN	Ear99
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Пико -Аймперратара	Nukahan
Wremaping@pikovoйtemperaturu (я)	Nukahan
Я	STW56N
Power Dissipation-Max	360
ТИП ФЕТ	N-канал
Rds on (max) @ id, vgs	65 м ω @ 24а, 10 В
Vgs (th) (max) @ id	5 w @ 250 мк
Взёр.	4100pf @ 100v
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	48A TC
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	88NC @ 10V
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	650
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	10 В
Vgs (mmaks)	± 25 В
Neprrerыwnыйtokdrenaжa (id)	48.
Переоборот	3В
DOSTIчH SVHC	НЕТ SVHC
Статус Ройс	Rohs3

СМ. С.