Все продукты

Геотс иниртор

IMG	Nomer чaSti	Проиджодели	Поосгартел	Вналишии	Упако
	74VHC02SJX	На то, чтобы	7,5 млн. Н. С. 11,4 млн. Н. Гейтс и инверторы 218,3 мг мг	602	14 SOIC (0,209, Ирин 5,30 мм)
	HEC40106BT, 112	NXP USA Inc.	Gates & Inverters 3V ~ 15V V	281	14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)
	N74F30N, 602	NXP USA Inc.	5 В против Gates & Inverters 4,5 -5,5	953	14-Dip (0,300, 7,62 ММ)
	74AHCT1G06GV, 125	NXP USA Inc.	5 v 2,9 мммммер	224	SC-74A, SOT-753
	HEC40106BT, 118	NXP USA Inc.	Gates & Inverters 3V ~ 15V V	576	14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)
	74LVU04DB, 118	NXP USA Inc.	3,3 В. Геутс ингертор 1- ~ 5,5 В	498	14-ssop (0,209, ширина 5,30 мм)
	Nlu1g00amutcg	На то, чтобы	7,9 млн. Н. Гейтс и инверторс	689	6-ufdfn
	MM74HCT04N	Rochester Electronics, LLC	19,18 мм мм Гехтс ингертор 4,5 °	537	14-Dip (0,300, 7,62 ММ)
	74ALVC08MX	На то, чтобы	2,9 млн. NS 12 ns ns Gates & Inverters 150 мг мг мг.	876	14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)
	74AC11SJX	На то, чтобы	8 млн. Н. С. 9,5 млн. Н.С. Гейтс и инверторы	358	14 SOIC (0,209, Ирин 5,30 мм)
	74LCX32SJ	На то, чтобы	12 нс нс 6,2 млн. Н.С.	971	14 SOIC (0,209, Ирин 5,30 мм)
	74AC11MTCX	На то, чтобы	8 млн. Н. С. 9,5 млн. Н.С. Гейтс и инверторы	439	14-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм)
	MC100EP08DR2G	Rochester Electronics, LLC	Геотс иниртор	257	-
	74ALVC00MX	На то, чтобы	3 м.	425	14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)
	DM74ALS05AMX	На то, чтобы	54 NS NS 54 NS NS GATES & Inverters Surface Mount Mount Mount 4,5 В ~ 5,5 В.	528	14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)
	DM74ALS04BMX	На то, чтобы	11 NS NS 11 NS NS GATES & Inverters 8ma MA	472	14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)
	74LVQ02SCX	На то, чтобы	7,5 млн. Н. С. 10,6 млн. Н. Гейтс и инверторные поверхностные крепления крепления крепления 2 В ~ 3,6 В.	680	14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)
	74act02ttr	Stmicroelectronics	5 V 8 NS NS 8 NS NS 5 ММММ ГЕХЕТС	568	14-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм)
	74abt20db, 112	Nexperia USA Inc.	5 v 3,9 млн. К. 2,7 млн. Н.С.	699	14-ssop (0,209, ширина 5,30 мм)
	74AC10MTR	Stmicroelectronics	6 м.	856	14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)
	74VHC03MTR	Stmicroelectronics	7,5 млн. С. 6,5 млн. С., 8,65 мм мм.	650	14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)
	HCF4025Bey	Stmicroelectronics	80 NS NS 80 NS NS 6,35 МММММ ГЕХЕТС и и. Мка мка	871	14-Dip (0,300, 7,62 ММ)
	M74HC02TTR	Stmicroelectronics	19 нс нс 75 нс нс 5 ммммгер	263	14-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм)
	MM74HCT00SJX	На то, чтобы	23 NS NS 18 NS NS GATES & Inverters Поверхностные горы крепверг	547	14 SOIC (0,209, Ирин 5,30 мм)
	MM74HC32SJX	На то, чтобы	17 NS NS 18 NS NS GATES & Inverters 218,3 MMG	157	14 SOIC (0,209, Ирин 5,30 мм)
	74lcx14mtr	Stmicroelectronics	3,3VV 6,5 млн. Н.С. 5 млн. Н.С.	944	14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)
	MM74HC132SJ	На то, чтобы	21 нс нс 20 млн. Н.С. Гейтс и инверторы 218,3 мг мг	368	14 SOIC (0,209, Ирин 5,30 мм)
	MM74HCT05N	На то, чтобы	15 нс нс 28 нс ns gates & инверторы 4,8 мама 1,62 gmgerehrхnostnoe krepleneeree otwrsygyne 4,5- ~ 5,5.	475	14-Dip (0,300, 7,62 ММ)
	M74HC11TTR	Stmicroelectronics	2/6.	964	14-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм)
	MM74HCT32SJX	На то, чтобы	20 млн. С. 20 млн. Геотс и.	139	14 SOIC (0,209, Ирин 5,30 мм)
1 2 3 4 5 6 7 8 9 > > \|

Все продукты

Геотс иниртор

Скайп

скайп

RFQ