Все продукты

SI8489EDB-T2-E1

Si8489EDB-T2-E1 P-KANALNыйTRANSHOTOR MOSFET; 4.3 А; 20в; 4-конец

Проиджоделх: Виаликоеникс
Origchip №: 880-SI8489EDB-T2-E1
Епаково: 4-UFBGA
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 790
Описани: Si8489EDB-T2-E1 P-KANALNыйTRANSHOTOR MOSFET; 4.3 А; 20в; 4-копень микроат (К.)

Поку Ипрос

Покупра

Весельнее
Мы настоятельно рекомендуем вам войти в систему перед покупкой, поскольку вы можете отслеживать свой заказ в режиме rernogo vremenyni.

Плате

Дл -вуд -мг -мкринимайм. псевдод.

Rfq (зaproys nanaitatы)

RonkomeNyOtsemy -aproytth
Начиная с того, что я не знаю, что

Вес

1. (Poжaluйsta, ne abudate oprowriotth papku -spama, esli -ne -ne -slышali Ot nas).
2. Сообщите, что -то вроде.

Степ

ДОПОЛНИТЕЛЬНО 40 ДОЛЛОРОВ, НЕКОТОРСКА Naprimer (южnamana apaprika, braзilaipa, Индель
Otsnownoй gruз (ophotwytwathyй ≤0,5.

МЕСТОДОД

В.Е.

Срок.Постаски

Пео, КОН, КОДА, ПРЕДАПОН

FedEx International, 5-7 RABOSHIх DNEй.

Назнайджеский и 1 -го.
transport

Парметр
MATERIOLTRANSHOTORA	Кремни
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C TJ
Упако	Lenta и катахка (tr)
Опуликовано	2015
В припании	Trenchfet®
Статус	Актифен
Вернояж	1 (neograniчennnый)
Колист	4
КОД ECCN	Ear99
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Терминала	Униджин
Терминаланая	М
Колист	1
Колист. Каналов	1
Power Dissipation-Max	780 мст TA 1,8W TC
Коунфигуразия	Одинокий
Опрегиону	Rershym uluheEnjaina
R.	1,8
В.	27 млн
ТИП ФЕТ	П-канал
Прилоэна	Псевдон
Rds on (max) @ id, vgs	44 м ω @ 1,5а, 10 В
Vgs (th) (max) @ id	1,2- 250 мк
Взёр.	765pf @ 10v
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	27NC @ 10V
Верна	20ns
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	20
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	2,5 В 10 В.
Vgs (mmaks)	± 12 В.
Я не могу	25 млн
Otklючitath -map зaderжki	50 млн
Neprrerыwnыйtokdrenaжa (id)	5.4a
Вернека	12
Верна -	33 nede
Слив иатошника	-20v
Конец	Оло
Rradiaцyonnoe wyproчneneenee	Не
Статус Ройс	Rohs3
Управый	Пефер
МОНТАНАНГИП	Пефер
PakeT / KORPUES	4-UFBGA
Колист	4

СМ. С.