ВАЛЮТА:доллар США

Все продукты

PTFB193408SVV1XWSA1

IC FET RF LDMOS H-34275G-6/2


  • Проиджоделх: Infineon Technologies
  • Origchip №: 376-PTFB193408SVV1XWSA1
  • Епаково: H-34275G-6/2
  • Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
  • ЗapaS: 722
  • Описани: IC FET RF LDMOS H-34275G-6/2 (К.)

Поку Ипрос

Транспорт

Покупра

Весельнее
Мы настоятельно рекомендуем вам войти в систему перед покупкой, поскольку вы можете отслеживать свой заказ в режиме rernogo vremenyni.

Плате

Дл -вуд -мг -мкринимайм. псевдод.

Rfq (зaproys nanaitatы)

RonkomeNyOtsemy -aproytth
Начиная с того, что я не знаю, что

Вес

1. (Poжaluйsta, ne abudate oprowriotth papku -spama, esli -ne -ne -slышali Ot nas).
2. Сообщите, что -то вроде.

Степ

ДОПОЛНИТЕЛЬНО 40 ДОЛЛОРОВ, НЕКОТОРСКА Naprimer (южnamana apaprika, braзilaipa, Индель
Otsnownoй gruз (ophotwytwathyй ≤0,5.

МЕСТОДОД

В.Е.

Срок.Постаски

Пео, КОН, КОДА, ПРЕДАПОН

FedEx International, 5-7 RABOSHIх DNEй.

Назнайджеский и 1 -го.
transport

Подрэбной

Теги

Парметр
PakeT / KORPUES H-34275G-6/2
Пефер В дар
MATERIOLTRANSHOTORA Кремни
Упако Поднос
Опуликовано 2015
Статус Управо
Вернояж 1 (neograniчennnый)
Колист 6
Napraheneee - оинка 65
Терминала Квадран
Терминаланая НЕВЕКАНА
DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN НЕИ
ЧastoTA 1,99 -е
КОД JESD-30 R-CQSO-X6
Raboч -yemperatura (mamaks) 200 ° C.
Опресагионе 30
Колист 2
Коунфигура Обжиг, 2
Опрегионн Rershym uluheEnjaina
ТОК - ТЕСА 2.65A
Прилоэна Исилитель
БЕЗОПАСНЫЙ БЕЗОПАСНЫЙ
Пола N-канал
Это Ldmos (DVOйNOй), Obщiй yastoчnik
Прирост 19db
DS Breakdown Tarstage-Min 65
Питани - В.О. 80 Вт
ТЕГЕЙНОЛОГИЯ ФЕТ МЕТАЛЛИСКИХАПОЛУПРОПРОВОВОДИК
Статус Ройс ROHS COMPRINT
СОУДНО ПРИОН СОУДНО ПРИОН
СМ. С.
Как мы можем вам помочь?