Все продукты

Просмотреть все >>

Авторизоваться Зарегистрировать

Ir2117spbf

Poverхnostnavanyavanyavangyantnypnavangy-Active Ear99 ворот ворот.

Проиджоделх: Infineon Technologies
Origchip №: 376-IR2117SPBF
Епаково: 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 166
Описани: Пефер-пост в Активном ухоре 99 водителей ворот.

Поку Ипрос

Транспорт

Покупра

Весельнее
Мы настоятельно рекомендуем вам войти в систему перед покупкой, поскольку вы можете отслеживать свой заказ в режиме rernogo vremenyni.

Плате

Дл -вуд -мг -мкринимайм. псевдод.

Rfq (зaproys nanaitatы)

RonkomeNyOtsemy -aproytth
Начиная с того, что я не знаю, что

Вес

1. (Poжaluйsta, ne abudate oprowriotth papku -spama, esli -ne -ne -slышali Ot nas).
2. Сообщите, что -то вроде.

Степ

ДОПОЛНИТЕЛЬНО 40 ДОЛЛОРОВ, НЕКОТОРСКА Naprimer (южnamana apaprika, braзilaipa, Индель
Otsnownoй gruз (ophotwytwathyй ≤0,5.

МЕСТОДОД

В.Е.

Срок.Постаски

Пео, КОН, КОДА, ПРЕДАПОН

FedEx International, 5-7 RABOSHIх DNEй.

Назнайджеский и 1 -го.
transport

Подрэбной

Парметр
Верна -	12
МОНТАНАНГИП	Пефер
PakeT / KORPUES	8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)
Пефер	В дар
Rraboч -yemperatura	-40 ° C ~ 150 ° C TJ
Упако	Трубка
Опуликовано	1996
КОД JESD-609	E3
Статус	Актифен
Вернояж	2 (1 годы)
Колист	8
КОД ECCN	Ear99
ТЕРМИНАЛЕН	MATOWAN ONOUVA (SN)
Подкейгория	Draйverы moaspeta
Тела	CMOS
Napraheneee - posta	10 В ~ 20 В.
Терминала	Дон
Терминаланая	Крхлоп
Пико -Аймперратара	260
Колист	1
Надо	15
Wremaping@pikovoйtemperaturu (я)	30
Я	Ir2117spbf
КОД JESD-30	R-PDSO-G8
Кваликакахионн Статус	Н.Квалиирована
ТИПВ	Nerting
Верна	80ns 40ns
ИНЕРФЕРА	Берн илиирторн -дера
ТИП КАНАЛА	Одинокий
Колиство	1
Klючite -wreman	0,2 мкс
В	0,5а
ЕПРАНАЛЬНО	Вес
ТИП	Igbt, n-Kanalhnый mosfet
Ток - ПикВода (Истошник, Раковина)	250 май 500 мая
В.С.С.Бокововов	В дар
Logeчeskoe anprayaeneeee - vil, vih	6 В 9,5 В.
Ведокообооборот	600
Делина	4,9 мм
Шyrina	3,9 мм
Статус Ройс	Rohs3

Ir2117spbf obзor

Ведь по-прежнее ИСПОЛЕЙСКОЙ МЕТОД Graйverы gate oklючat vseebje -wgate wgate driversh 1 dlaving coan -worothrot. Igbt, n-Kanalhnый Mosfet Gate. Вервут врожден, что -то апреля -40 ° C ~ 150 ° C TJ.MOSFET yraй -nraHernernewnewer -nre -nre. Дерьмосфет Косторит и 8 Терминаиги -фонд водителей водителей. Дл. Graйver mosfet исполь