Все продукты

Просмотреть все >>

Авторизоваться Зарегистрировать

IR2104PBF

ЧeReз-groчnuюnuюtruebku Active Ear99 ворот ворот.

Проиджоделх: Infineon Technologies
Origchip №: 376-IR2104PBF
Епаково: 8-DIP (0,300, 7,62 ММ)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 633
Описани: ЧeReз-groчnuюnuюtruebku Active Ear99 ворот ворот.

Поку Ипрос

Транспорт

Покупра

Весельнее
Мы настоятельно рекомендуем вам войти в систему перед покупкой, поскольку вы можете отслеживать свой заказ в режиме rernogo vremenyni.

Плате

Дл -вуд -мг -мкринимайм. псевдод.

Rfq (зaproys nanaitatы)

RonkomeNyOtsemy -aproytth
Начиная с того, что я не знаю, что

Вес

1. (Poжaluйsta, ne abudate oprowriotth papku -spama, esli -ne -ne -slышali Ot nas).
2. Сообщите, что -то вроде.

Степ

ДОПОЛНИТЕЛЬНО 40 ДОЛЛОРОВ, НЕКОТОРСКА Naprimer (южnavan apapryka, braзilia, indian
Otsnownoй gruз (ophotwytwathyй ≤0,5.

МЕСТОДОД

В.Е.

Срок.Постаски

Пео, КОН, КОДА, ПРЕДАПОН

FedEx International, 5-7 RABOSHIх DNEй.

Назнайджеский и 1 -го.
transport

Подрэбной

Парметр
Верна -	12
Управый	Чereз dыru
МОНТАНАНГИП	Чereз dыru
PakeT / KORPUES	8-DIP (0,300, 7,62 ММ)
Колист	8
Rraboч -yemperatura	-40 ° C ~ 150 ° C TJ
Упако	Трубка
Опуликовано	1996
Статус	Актифен
Вернояж	1 (neograniчennnый)
Колист	8
Весели	Чereз dыru
КОД ECCN	Ear99
Подкейгория	Draйverы moaspeta
МАКСИМАЛЕВАЯ	1 Вт
Тела	CMOS
Napraheneee - posta	10 В ~ 20 В.
Терминала	Дон
Колист	1
Надо	15
Я	IR2104PBF
Колист	2
В конце концов	620В
МАКСИМАЛНГАН	360 май
Питания	15
Н.	270 мка
R.	1 Вт
Вес	210 май
МАКСИМАЛНГОН	270 мка
Я	820 м
ТИПВ	Nerting
В.	60 млн
МАКСИМАЛНА	20
Верна	170ns
Я не могу	90 млн
Otklючitath -map зaderжki	90 млн
МИНА	10 В
Верна	100ns 50ns
ТИП КАНАЛА	Синжронно
В	0,36а
ЕПРАНАЛЬНО	Полумос
ТИП	Igbt, n-Kanalhnый mosfet
Ток - ПикВода (Истошник, Раковина)	210 мая 360 мая
В.С.С.Бокововов	В дар
Logeчeskoe anprayaeneeee - vil, vih	0,8 В 3 В
Ведокообооборот	600
Вес	49276 ММ
Делина	10 8966 ММ
Шyrina	7,11 мм
Rradiaцyonnoe wyproчneneenee	Не
DOSTIчH SVHC	НЕТ SVHC
Статус Ройс	Rohs3
СОУДНО ПРИОН	СОДЕРШИТС СВИНЕС

IR2104PBF OBзOR

PakeT C 8-DIP (0,300, 7,62 мм))). Уваж -40 ° C ~ 150 ° C TJ.MOSFET DIRIGENANIERANIENIESHETWSERESERESFET. КОНГИГУРИЯ ОСНОВАНА НА 8 ВЕРЕЙНЕГА. GuщeStuюtraзliчne rodstwennene deTAlI -pod nnomeroem nbaзogo nomeran ИСПОЛЕЙСАНЕВО. Mosfet -draй- 15 В.360MA ЭTAPODKATGORIP -ARYTERELEй МОСФЕТ И МООЕТА Макс (narahlanvany зagruзca), а также 600 -й. Степень, то есть ПИТАНИЕ 15 В ПРОДУДКАТАРЕ. Yraйverы зaTworA mosfet pro