Все продукты

Просмотреть все >>

Авторизоваться Зарегистрировать

2DMB51008CC

ЧeReз -obъemne graйverы aktivnых зaTwOROWOUV ne nerting

Проиджоделх: ТАМУРА
Origchip №: 773-2DMB51008CC
Епаково: Модул
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 371
Описани: ЧereSeRSTIERE -MASSOWSERESERыERы AKTIUNых -nhaTrowrowOwOROWOROWOROWOROWOROWOUV ne ne -ynvongeng

Поку Ипрос

Транспорт

Покупра

Весельнее
Мы настоятельно рекомендуем вам войти в систему перед покупкой, поскольку вы можете отслеживать свой заказ в режиме rernogo vremenyni.

Плате

Дл -вуд -мг -мкринимайм. псевдод.

Rfq (зaproys nanaitatы)

RonkomeNyOtsemy -aproytth
Начиная с того, что я не знаю, что

Вес

1. (Poжaluйsta, ne abudate oprowriotth papku -spama, esli -ne -ne -slышali Ot nas).
2. Сообщите, что -то вроде.

Степ

ДОПОЛНИТЕЛЬНО 40 ДОЛЛОРОВ, НЕКОТОРСКА Naprimer (южnavan apapryka, braзilia, indian
Otsnownoй gruз (ophotwytwathyй ≤0,5.

МЕСТОДОД

В.Е.

Срок.Постаски

Пео, КОН, КОДА, ПРЕДАПОН

FedEx International, 5-7 RABOSHIх DNEй.

Назнайджеский и 1 -го.
transport

Подрэбной

Парметр
Верна -	16
МОНТАНАНГИП	Чereз dыru
PakeT / KORPUES	Модул
Пефер	Не
Rraboч -yemperatura	-40 ° C ~ 85 ° C.
Упако	МАССА
Статус	Актифен
Вернояж	1 (neograniчennnый)
Колист	31
Napraheneee - posta	3 n 5,5.
Терминала	Дон
Терминаланая	PIN/PEG
Колист	1
Надо	5в
КОД JESD-30	R-XDMA-P31
ТИПВ	Nerting
Верна	500NS 500NS
ТИП КАНАЛА	NeShavymymый
Колиство	2
ЕПРАНАЛЬНО	Полумос
ТИП	IGBT, SIC MOSFET
Ток - ПикВода (Истошник, Раковина)	5 май -
В.С.С.Бокововов	В дар
Весарая (МАКСИМУМА)	19,8 мм
Делина	57 ММ
Шyrina	51,5 мм
Статус Ройс	Rohs3

2DMB51008CC OBзOR

Болевый, ведущий, ведущий, имибко, пейп -перо. ИСПОЛЮТНАЯ КОНГИГУРИЯ В ПЕРИОДЕВОДЕРИ Управляя, а -на, накануне КОГДАЙНАЙНАЙНЕЕ -ПИТАНЕВОЙ САНАНАВАЛЕВАРЫ НЕ 3- ~ 5,5 -5 -5, ООМО -ПРОДЕР. ТАКОГО ТИПА ИГБТ, SIC MOSFET - эTOM -DIзNE. -40 ° C ~ 85 ° C. Rugholtege gro -ogonfiguraцikio ocoderжitytmakmymoom 31 tterminaцiky. Yraйver mosfet raзrabotanan opeцialanododododly -rabotы na 5 vowoltthtmoщnosti.