IMG | Номер части | Производители | Посягательство | В наличии | Упаковка | RFQ | |||||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM Semiconductor | 6,4V5 Терминалы 5-контактный BD46 Направляющий напряжение Supersorbd46xxx серия 1 каналы min 950 мв макс 9,5 В | 830 | SC-74A, SOT-753 | | |||||||||||||||||||||||||
ROHM Semiconductor | 5,4V5 Терминалы 5-контактный BD46 Supervisorbd46xxx серия 1 каналы min 950mv max 9,5V | 167 | SC-74A, SOT-753 | | |||||||||||||||||||||||||
ROHM Semiconductor | BU46K402 Supervisorbu46kxxx Series MIN 600MV MAX 6V | 933 | До 236-3, SC-59, SOT-23-3 | | |||||||||||||||||||||||||
ROHM Semiconductor | 5,2V5 Терминалы 5-контактный BD46 Supervisorbd46xxx серия 1 каналы min 950mv max 9,5 В | 883 | SC-74A, SOT-753 | | |||||||||||||||||||||||||
ROHM Semiconductor | Поверхностная лента и катушка (TR) Драйверы активных затворов ICS Не инвертирование 2 1200 В V 20-ссоп (0,240, ширина 6,10 мм) с высокой или низкой стороны | 194 | 20-Ssop (0,240, ширина 6,10 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
ROHM Semiconductor | 8 Терминаций8 PIN BA8206 Telecom Device1 | 858 | 8 Soic (0,173, ширина 4,40 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
ROHM Semiconductor | 28 Терминации28 PIN BU8793 Telecom Device1 | 860 | 28-VFQFN | | |||||||||||||||||||||||||
ROHM Semiconductor | Модуль irda 115,2Kbbps 8smd | 264 | SMD/SMT | | |||||||||||||||||||||||||
ROHM Semiconductor | Модуль irda 115,2Kbbps 8smd | 354 | Модуль | | |||||||||||||||||||||||||
ROHM Semiconductor | Модуль irda 115,2Kbbps 8smd | 188 | Модуль | | |||||||||||||||||||||||||
ROHM Semiconductor | Модуль irda 115,2Kbbps 8smd | 163 | Модуль | | |||||||||||||||||||||||||
ROHM Semiconductor | Модуль IRDA 1152KBPS 8SMD | 423 | SMD/SMT | | |||||||||||||||||||||||||
ROHM Semiconductor | Модуль IRDA 115,2KBBS 7-SMD | 765 | Модуль | | |||||||||||||||||||||||||
ROHM Semiconductor | Модуль IRDA 115,2KBBS 8-SMD | 318 | SMD/SMT | | |||||||||||||||||||||||||
ROHM Semiconductor | Модуль irda 115,2Kbbps 8smd | 511 | Модуль | | |||||||||||||||||||||||||
ROHM Semiconductor | Модуль irda 115,2Kbbps 8smd | 503 | Модуль | | |||||||||||||||||||||||||
ROHM Semiconductor | IC IRDA IR модуль связи | 160 | Модуль | | |||||||||||||||||||||||||
ROHM Semiconductor | Модуль irda 4 Мбит / с FIR compatbl s | 991 | Модуль | | |||||||||||||||||||||||||
ROHM Semiconductor | Модуль IRDA 4MBPS 3V SMD | 774 | Модуль | | |||||||||||||||||||||||||
ROHM Semiconductor | IC IRDA IR модуль связи | 826 | Модуль | | |||||||||||||||||||||||||
ROHM Semiconductor | Модуль IRDA 115,2KBBS 7-SMD | 305 | Модуль | | |||||||||||||||||||||||||
ROHM Semiconductor | Модуль IRDA 115,2KBBS 7-SMD | 274 | Модуль | | |||||||||||||||||||||||||
ROHM Semiconductor | Поверхностная лента и катушка (TR) 16ma MA 1300 нс μs Линейные компараторы 100 дБ дБ 250NA PA 2004 7MV MV Mount | 335 | 14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
ROHM Semiconductor | Поверхностная лента и катушка (TR) 16NA MA 1300 NS μS Линейные компараторы 106,02 дБ дБ 250NA PA 1999 7MV MV | 337 | 14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
ROHM Semiconductor | Поверхностная лента и катушка (TR) 16NA MA 1300 NS μS Линейные компараторы 106,02 дБ дБ 250NA PA 2005 7MV MV Mount Mount | 514 | 14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
ROHM Semiconductor | Поверхностная лента и катушка (TR) 16MA MA 1300 NS μS Линейные компараторы 106,02 дБ дБ 250NA PA 2010 7MV MV Mount Surface Mont | 761 | 14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
ROHM Semiconductor | Поверхностная лента и катушка (TR) 16NA MA 1300 NS μS Линейные компараторы 100 дБ дБ 250NA PA 2007 7MV MV Mount Mount | 653 | 14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
ROHM Semiconductor | Поверхностная лента и катушка (TR) 6MA MA 50 нс мкс Линейные компараторы 90 дБ дБ 1PA PA 2008 35 мкА μa 11 мВ | 991 | 8 Soic (0,173, ширина 4,40 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
ROHM Semiconductor | Через дырную трубку 16 мА MA 1,3 мкс μS Линейные компараторы 106 дБ дБ 250NA PA 1999 5MV MV через отверстие | 995 | 8-sip | | |||||||||||||||||||||||||
ROHM Semiconductor | 50 нс нс 19,4 мм мм Гейтс и инверторы через поверхность отверстия 3 В ~ 16 В v 4 мкА мкА | 421 | 14-DIP (0,300, 7,62 мм) | | |||||||||||||||||||||||||