IMG | Номер части | Производители | Посягательство | В наличии | Упаковка | RFQ | |||||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Технологические решения M/A-COM | Transistor Gan 960-1215 МГц 500 Вт | 462 | Керамика | | |||||||||||||||||||||||||
Технологические решения M/A-COM | Trans HFET 1W SOT89 | 204 | До 243аа | | |||||||||||||||||||||||||
Технологические решения M/A-COM | Транзистор Gan DC-1200MHZ 200 Вт | 401 | - | | |||||||||||||||||||||||||
Технологические решения M/A-COM | Транзистор RF 25W GAN | 828 | - | | |||||||||||||||||||||||||
Технологические решения M/A-COM | Транзистор RF 14W GAN | 484 | - | | |||||||||||||||||||||||||
Технологические решения M/A-COM | FET RF 65V 3,5 ГГц 14dfn | 425 | 14-VDFN открытая площадка | | |||||||||||||||||||||||||
Технологические решения M/A-COM | Транзистор RF 600W GAN | 427 | Керамика | | |||||||||||||||||||||||||
Технологические решения M/A-COM | Транзистор RF 180W GAN | 168 | - | | |||||||||||||||||||||||||
Технологические решения M/A-COM | Транзистор GAN 125W 1,2-1,4 ГГц | 644 | Керамика | | |||||||||||||||||||||||||
Технологические решения M/A-COM | FET RF 2CH 65V 500 МГц 375-04 | 428 | 375-04 | | |||||||||||||||||||||||||
Технологические решения M/A-COM | Hemt n-ch 28 В 5w dc-6ghz 8soic | 375 | 8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
Технологические решения M/A-COM | Transistor Gan 30WPK 2,7-3,1 ГГц | 521 | Керамика | | |||||||||||||||||||||||||
Технологические решения M/A-COM | FET RF 65V 4 ГГц SOT-89 | 323 | До 243аа | | |||||||||||||||||||||||||
Технологические решения M/A-COM | Транзистор GAN 250W 960-1215 МГц | 569 | - | | |||||||||||||||||||||||||
Технологические решения M/A-COM | Hemt n-ch 48 В 100 Вт dc-2ghz | 134 | До-272bc | | |||||||||||||||||||||||||
Технологические решения M/A-COM | Transistor Gan 3,5 ГГц 45 Вт | 307 | - | | |||||||||||||||||||||||||
Технологические решения M/A-COM | Transistor Gan 650W 1,2-1,4 ГГц | 817 | - | | |||||||||||||||||||||||||
Технологические решения M/A-COM | FET RF 65V 400 МГц 211-07 | 567 | 211-07 | | |||||||||||||||||||||||||
Технологические решения M/A-COM | Hemt n-ch 28v 45w dc-4ghz 8soic | 519 | 8 Soic (0,154, ширина 3,90 мм). | | |||||||||||||||||||||||||
Технологические решения M/A-COM | RF Trans NPN 25V 211-11 | 573 | 211-11, стиль 2 | | |||||||||||||||||||||||||
Технологические решения M/A-COM | RF Trans NPN 55V 332A-03 | 548 | 332A-03 | | |||||||||||||||||||||||||
Технологические решения M/A-COM | RF Trans 2npn Emittr 30V 744a-01 | 857 | 744A-01 | | |||||||||||||||||||||||||
Технологические решения M/A-COM | Усилитель 16-wfqfn открытая площадка | 289 | 16-WFQFN открытая площадка | | |||||||||||||||||||||||||
Технологические решения M/A-COM | Усилитель умирает | 157 | Умирать | | |||||||||||||||||||||||||
Технологические решения M/A-COM | Усилитель 16-VFQFN открытый прокладка | 509 | 16-VFQFN открытая площадка | | |||||||||||||||||||||||||
Технологические решения M/A-COM | 0,5 мм 3,3 В 16 Усилитель 3,3 В 16-VFQFN открытая площадка | 363 | 16-VFQFN открытая площадка | | |||||||||||||||||||||||||
Технологические решения M/A-COM | Усилитель | 796 | - | | |||||||||||||||||||||||||
Технологические решения M/A-COM | Усилитель умирает | 866 | Умирать | | |||||||||||||||||||||||||
Технологические решения M/A-COM | Усилитель | 957 | - | | |||||||||||||||||||||||||
Технологические решения M/A-COM | Усилитель 16-VFQFN открытый прокладка | 290 | 16-VFQFN открытая площадка | | |||||||||||||||||||||||||