Все продукты

Геотс иниртор

IMG	Nomer чaSti	Проиджодели	Поосгартел	Вналишии	Упако
	74VHCT00ASJ	На то, чтобы	7,9 NS NS 9 NS NS GATES & Inverters 218,3 MMG	863	14 SOIC (0,209, Ирин 5,30 мм)
	74VHCT00ASJX	На то, чтобы	7,9 NS NS 9 NS NS GATES & Inverters 218,3 MMG	654	14 SOIC (0,209, Ирин 5,30 мм)
	74VHC00SJ	На то, чтобы	7,5 млн. Н. С. 11,4 млн. Н. Гейтс и инверторы 218,3 мг мг	175	14 SOIC (0,209, Ирин 5,30 мм)
	74VHC14SJ	На то, чтобы	2/5,5VV 10,6 млн. Н. С. 18,5 млн. Н.С. 10,2 мм мм.	879	14 SOIC (0,209, Ирин 5,30 мм)
	TC7W00FKTE85LF	Toshiba semiconductor и хraneneee	Gates & Inverters 2V ~ 6V V	951	8 vfsop (0,091, Ирина 2,30 мм)
	74AC14MTC	На то, чтобы	3,3/5V V 15 млн. Н. С. 15 млн. Н.М.ММММММММЕТ	265	14-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм)
	74act10mtcx	На то, чтобы	9 NS NS 9 NS NS GATES & Inverters Поверхностное крепверг	862	14-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм)
	74VCX08M	На то, чтобы	12 млн. С. 7,4 млн. С., 8,75 мм мм.	275	14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)
	74VHC02MTC	На то, чтобы	7,5 млн. Н. Ст.	488	14-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм)
	74LVX86MTC	На то, чтобы	12,8 млн. NS 18 нс NS Gates & Inverters 55,3 мг мг	609	14-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм)
	DM74ALS133MX	На то, чтобы	25 млн. Геотс иниртор	684	16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)
	74lcx10mtcx	На то, чтобы	4,9 млн. С. 5,8 млн. С.С. Геотс иниртор	800	14-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм)
	74LVX132SJX	На то, чтобы	15,4 млн. Н. С. 12 нс NS Gates & Inverters 218,3 MMG	730	14 SOIC (0,209, Ирин 5,30 мм)
	DM74AS04MX	На то, чтобы	5 NS NS 5 NS NS GATES & Inverters Surface Mount Mount Mount 4,5 В ~ 5,5 В.	255	14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)
	74AC10SCX	На то, чтобы	7 нс нс 9,5 млн. Н. Ст.	692	14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)
	MC74LCX04D	Rochester Electronics, LLC	Геотс ингертор 2- ~ 3,6 В	898	14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)
	MC74HC00AD	Rochester Electronics, LLC	8,65 мм мм Гехтс ингертор 2 В ~ 6	951	14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)
	DM74ALS21AMX	На то, чтобы	15 NS NS 15 NS NS GATES & Inverters Surface Mount Mount Mount 4,5 В ~ 5,5 В.	428	14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)
	MC14001UBD	Rochester Electronics, LLC	8,65 мм мм Гехтс ингертор 3 В ~ 18 v v	690	14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)
	74AC11MTCX	Rochester Electronics, LLC	5 ммммгер	614	14-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм)
	NLX2G06BMX1TCG	Rochester Electronics, LLC	Геотс и.	461	6-xflga
	74VCX132MX	На то, чтобы	3,3 млн. Н.С. 8,2 млн. Н. Гейтс и инверторные поверхностные крепления	225	14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)
	MC74AC11D	Rochester Electronics, LLC	8,65 мм мм Гехтс ингертор 2 В ~ 6	134	14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)
	MC74AC10N	Rochester Electronics, LLC	18,86 мм мм Гехтс ингертор 2v ~ 6 В В	276	14-Dip (0,300, 7,62 ММ)
	MC74ACT32D	Rochester Electronics, LLC	8,65 мм мм Гехтс ингертор 4,5 n 5,5.	727	14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)
	MC74LCX14D	Rochester Electronics, LLC	Геотс ингертор 2- ~ 3,6 В	668	14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)
	MC74LCX02D	Rochester Electronics, LLC	8,65 мм мм Гехтс ингертор 2- ~ 3,6 В.	502	14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)
	NLX2G32BMX1TCG	Rochester Electronics, LLC	1,6 ммммгётс и ингертор 1,65 n 5,5	129	8-xflga
	74VHCT08ASJX	На то, чтобы	7,9 млн. С. 7,9 млн. Н. Гейтс и инверторы 218,3 мг мг.	591	14 SOIC (0,209, Ирин 5,30 мм)
	MC74AC08D	Rochester Electronics, LLC	8,65 мм мм Гехтс ингертор 2 В ~ 6	754	14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)
\| < < 154 155 156 157 158 159 160 161 162 > > \|

Все продукты

Геотс иниртор

Скайп

скайп

RFQ