IMG | Nomer чaSti | Проиджодели | Поосгартел | Вналишии | Упако | RFQ | |||||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
80 нс нс 180 нс нс 19,558 мммммгер. | 496 | 14-Dip (0,300, 7,62 ММ) | | ||||||||||||||||||||||||||
4,3 м. | 880 | 8-xFBGA, DSBGA | | ||||||||||||||||||||||||||
100 млн. Н.С. 300 млн. Н.С. 19,56 мммммгер. 1 мкА мкА | 765 | 14-Dip (0,300, 7,62 ММ) | | ||||||||||||||||||||||||||
190 NS NS 125 NS NS 19,558 МММММ ГЕХЕТС И. | 995 | 14-Dip (0,300, 7,62 ММ) | | ||||||||||||||||||||||||||
5/15 В. | 571 | 14-Dip (0,300, 7,62 ММ) | | ||||||||||||||||||||||||||
5 v 32 NS NS 48 NS NS 6,35 мммммммер. 5,5VV 1 мка мка | 220 | 14-Dip (0,300, 7,62 ММ) | | ||||||||||||||||||||||||||
5/15 В. | 861 | 14-Dip (0,300, 7,62 ММ) | | ||||||||||||||||||||||||||
100 млн. Н.С. 300 млн. Н.С. 19,56 мммммгер. 1 мкА мкА | 292 | 14-Dip (0,300, 7,62 ММ) | | ||||||||||||||||||||||||||
7,7 нс нс 8,5 млн. Н.С. | 900 | 14 SOIC (0,209, Ирин 5,30 мм) | | ||||||||||||||||||||||||||
5/15 В. | 975 | 16-DIP (0,300, 7,62 ММ) | | ||||||||||||||||||||||||||
150 ns 100 ns ns 6,35 мммммгерг. Мка мка | 277 | 14-Dip (0,300, 7,62 ММ) | | ||||||||||||||||||||||||||
12 NS NS 12 NS NS GATES & Inverters. | 158 | 14-Dip (0,300, 7,62 ММ) | | ||||||||||||||||||||||||||
100 мкл 300 млн. Н.С. 19,558 ммммммгёт и имен. V 1 мка мка | 523 | 14-Dip (0,300, 7,62 ММ) | | ||||||||||||||||||||||||||
12 нс 15,4 млн. Н. С. | 238 | 14 SOIC (0,209, Ирин 5,30 мм) | | ||||||||||||||||||||||||||
5 v 8,5 млн. NS 9 NS NS 19,558 МММММММГЕТС | 420 | 14-Dip (0,300, 7,62 ММ) | | ||||||||||||||||||||||||||
7 NS NS 10 NS NS GATES & INVERTERS поверхностное крепверг | 386 | 14 SOIC (0,209, Ирин 5,30 мм) | | ||||||||||||||||||||||||||
7,9 млн. Н. С. 12,3 млн. Н. С. | 802 | 14 SOIC (0,209, Ирин 5,30 мм) | | ||||||||||||||||||||||||||
3 м. | 899 | 14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) | | ||||||||||||||||||||||||||
7,5 млн. NS 12 ns ns Gates & Inverters 8ma ma 1,62 gmgereзperхnostnoe krepleonee otwrsypemya 2- ~ 5,5VV 2 мк. | 188 | 14-Dip (0,300, 7,62 ММ) | | ||||||||||||||||||||||||||
7,5 млн. Н. С. 9,5 млн. Н. Гейтс и инверторы 218,3 ммг | 400 | 14 SOIC (0,209, Ирин 5,30 мм) | | ||||||||||||||||||||||||||
4,9 NS NS 12 NS NS GATES & Inverters Surface Mount Mount Mount 2,3 В ~ 3,6 В. 10 мк μa | 501 | 14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) | | ||||||||||||||||||||||||||
12 нс нс 7,4 мкл. | 326 | 14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) | | ||||||||||||||||||||||||||
5,2 NS NS 6 NS NS GATES & Inverters 218,3 MMG | 959 | 14 SOIC (0,209, Ирин 5,30 мм) | | ||||||||||||||||||||||||||
12,8 млн. NS 18 NS NS GATES & Inverters Surface Mount Mount Mount 2V ~ 3,6 В. | 237 | 14 SOIC (0,209, Ирин 5,30 мм) | | ||||||||||||||||||||||||||
5 v 11,5 млн. Н. 15 нс нс 19,558 ммммммгётс имени ~ 5,5 В. | 530 | 14-Dip (0,300, 7,62 ММ) | | ||||||||||||||||||||||||||
7 NS NS 13 NS NS GATES & Inverters 218,3 MMG | 359 | 14 SOIC (0,209, Ирин 5,30 мм) | | ||||||||||||||||||||||||||
7,5 млн. С. 12 млн. С. Геотс и. | 248 | 14 SOIC (0,209, Ирин 5,30 мм) | | ||||||||||||||||||||||||||
5,2 NS NS 6 NS NS GATES & Inverters 218,3 MMG | 678 | 14 SOIC (0,209, Ирин 5,30 мм) | | ||||||||||||||||||||||||||
Gates & Inverters 2V ~ 6V V | 524 | 8-tssop, 8-марс (0,110, ширина 2,80 мм) | | ||||||||||||||||||||||||||
14,1 NS NS 23 NS NS GATES & Inverters 218,3 MMG | 309 | 14 SOIC (0,209, Ирин 5,30 мм) | | ||||||||||||||||||||||||||