Все продукты

Геотс иниртор

IMG	Nomer чaSti	Проиджодели	Поосгартел	Вналишии	Упако
	74HC132N, 652	NXP USA Inc.	Gates & Inverters 2V ~ 6V V	229	14-Dip (0,300, 7,62 ММ)
	DM74LS10N	На то, чтобы	Геотс и.	212	14-Dip (0,300, 7,62 ММ)
	DM7414N	На то, чтобы	Геотс и.	359	14-Dip (0,300, 7,62 ММ)
	74LV132N, 112	NXP USA Inc.	3,3 В. Геутс ингертор 1- ~ 5,5 В	270	14-Dip (0,300, 7,62 ММ)
	MM74HC00N	На то, чтобы	15 нс нс 90 нс ns gates & inverters 5,2 мама 1,62 gmgereз -kreplenienee oprхnostiperstiar 2- ~ 6 v 2mk	745	14-Dip (0,300, 7,62 ММ)
	DM74S240N	На то, чтобы	10 нс ns gates & инверторы.	915	20-DIP (0,300, 7,62 ММ)
	74F00PC	На то, чтобы	5 нс нс 12 нс ns gates & инверторов 20 май, мама	205	14-Dip (0,300, 7,62 ММ)
	74AC08PC	На то, чтобы	10 млн. Н.С. 9,5 млн. Н.С. Гейтс и инверторы 24 мА 1,62 Гм -образа	606	14-Dip (0,300, 7,62 ММ)
	MM74HC86N	На то, чтобы	20 мкл 120 мкг.	518	14-Dip (0,300, 7,62 ММ)
	74F38PC	На то, чтобы	12,5 мкл 12,5 млн. Н.	798	14-Dip (0,300, 7,62 ММ)
	74ACT00SC	На то, чтобы	5V V 9 NS NS 9,5 млн. Н. Гейтс и инверторы 24MA MA MOMONT	981	14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)
	74LVQ04SC	На то, чтобы	9 NS NS 14 NS NS GATES & Inverters 150 MMG	554	14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)
	74act10pc	На то, чтобы	9 нс NS 9 NS NS GATES & Inverters.	177	14-Dip (0,300, 7,62 ММ)
	74AC32PC	На то, чтобы	10 ns ns 9 ns ns gates & inverters 24ma ma 1,62 g -hereзporхnostnoe krepleoneee otwer -yrstieman 2- ~ 6 v 2 mka	924	14-Dip (0,300, 7,62 ММ)
	74F20PC	На то, чтобы	5 нс NS 5 NS NS Gates & Inverters.	706	14-Dip (0,300, 7,62 ММ)
	74Act08pc	На то, чтобы	9 ns ns 10 ns ns gates & inverters 24ma ma 1,62 g -hereзporхnostath oftwerstiты	752	14-Dip (0,300, 7,62 ММ)
	74act32pc	На то, чтобы	9 ns ns 10 ns ns gates & inverters 24ma ma 1,62 g -hereзporхnostath oftwerstiты	840	14-Dip (0,300, 7,62 ММ)
	DM74ALS05an	На то, чтобы	54 NS NS 54 NS NS GATES & Inverters 8ma ma -ereз moantaж -orхnosti -otwerstipyna 4,5 n5,5.	332	14-Dip (0,300, 7,62 ММ)
	74F00SC	На то, чтобы	5 NS NS 12 NS NS GATES & Inverters 20 MMA MA	281	14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)
	74LVQ32SC	На то, чтобы	9 NS NS 12 NS NS GATES & Inverters Surface Mount Mount Mount 2V ~ 3,6 В.	306	14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)
	74LV14N, 112	NXP USA Inc.	3,3VV 19,025 мм мм Гехтс ингертор 1 В ~ 5,5 В	520	14-Dip (0,300, 7,62 ММ)
	DM74AS32M	На то, чтобы	5,8 млн. С. 5,8 млн. С.С. Геотс иниртор	995	14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)
	DM74ALS00AN	На то, чтобы	11 NS NS 11 NS NS GATES & Inverters 8ma ma ereзperхnostnoe kreplepleneee otwerstyna 4,5- ~ 5,5 В.	528	14-Dip (0,300, 7,62 ММ)
	DM74AS30N	На то, чтобы	5 нс NS 5 NS NS Gates & Inverters.	720	14-Dip (0,300, 7,62 ММ)
	DM74AS10N	На то, чтобы	4,5 млн. Н.С. 4,5 млн. Гейтса и инверторов.	909	14-Dip (0,300, 7,62 ММ)
	MC74LCX08DTR2	На то, чтобы	3,3VV 5,5 млн. Н.С. 6,2 млн. Н. МММММ ММЕХЕТ	394	14-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм)
	MC74VHC1G04DTT1	На то, чтобы	7,5 млн. 3 ммммгер	337	SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
	NL17SZ02XV5T2	На то, чтобы	3,3VV 4,3 млн. Н. Ст.	404	SOT-553
	MC74LCX00DTR2	На то, чтобы	3,3VV 5,5 млн. С. 5 ммммгер	911	14-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм)
	TC74LVX00FTEL	Toshiba semiconductor и хraneneee	3,3VV 9,7 млн. Н.С. 5 мм мм Гехтс и.	459	14-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм)
\| < < 8 9 10 11 12 13 14 15 16 > > \|

Все продукты

Геотс иниртор

Скайп

скайп

RFQ