ВАЛЮТА:доллар США

Все продукты

Цem

IMG
Nomer чaSti
Проиджодели
Поосгартел
Вналишии
Упако
RFQ
750
6 мгтмк1,2-/мкс V/mks5,5 vdacvoltage -буфер
929
SOT-23-8
50 мвт µW1,25 -VDACCURRENT - nedoverennnыйporхnostath montaжa yastoчnik r1,5 b b5mmmmm
910
32-VFQFN PAD, CSP
12,5 мгт μW1,5-/мкс V/мкс 5,5 -VDACVoltage - Буфер
547
16-WQFN PAD, CSP
5 мгт μW1,5-/мкс V/Mks2,5 -Vdacvoltage - Buffered -Surface Mount String DAC R1.5 B B1,3 мм мкм 1,7 мммм
133
8-tssop, 8-марс (0,118, ширина 3,00 мм)
1,098W μWDACVoltage -Буфер
326
6-vdfn otkrыtaiNAN
5 мвт µWDACVOLTAGE - БУРНАЯ
268
10-tfsop, 10-мав (0,118, ширина 3,00 мм)
381 мгт.
405
32-TQFP
165 мт μW1,25 -VDACCURRENT - НЕБКОЛЕКА
312
48-LQFP
220 мвт μW1.25V V69 DB DBDACCURRENT - nedoverennnыйporхnostath montaжa -ystoчnik r1,5 b b2,35 мммм.
475
28 SOIC (0,295, Ирин 7,50 мм)
750 мкт мкв.
562
8-tssop, 8-марс (0,118, ширина 3,00 мм)
500 мт μwdaccurrent - nesoserшennonnonnonnonnonnonnonnonnonnoe -yestoporodonnoe krepleonee hymnoжenee dac r1 b1,75 мм мкм 3,91 ммммммм.
122
16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)
457 мвт μWDACVOLTAGE - bupernainaiperхnostath
863
16-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм)
175 мвт μW1,25 В V50 DB DBDACCURRENT - ВОЗ
540
28 SOIC (0,295, Ирин 7,50 мм)
20 март μW5,5 -VDACVoltage -Ubuffered -Подземное крепление R -2r R1 B B950 мкм мкм 4,5 мммм
288
20-opmop (0,173, Ирина 4,40 мм)
220 мг.
655
28 SOIC (0,295, Ирин 7,50 мм)
1,4 мгт μW1-/мкс v/mks5,5 -vdacvoltage - буфер
466
SOT-23-6
5 мгт μW1,8-/мкс V/Mks2,5 -Vdacvoltage - Буферный - поверхность крепления DAC DAC R1,5 B B950 мкм мкм 3,1 мммм
941
10-VFDFN PAD, CSP
20 март μW1,2-/мкс v/mks5,5 -vdacvoltage - буфер
769
SOT-23-8
452 мгт μwdacvoltage -буфериальное -поверхное крепление r -2r r1.25 b b1,3 мм мкм 1,8 ммммм
484
SOT-23-6
Dacvoltage - буферизация -поверхность крепления крепления DAC R2 B B1.07 мм мкм 3 ммммм
524
8-tssop, 8-марс (0,118, ширина 3,00 мм)
12,5 мгт μW1,5-/мкс V/Mks5,5 -Vdacvoltage - Буфер
840
14-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм)
600 мт μWDACCURRENT - nesoblюrengennonnoemepotoporodonnoe kreneonee r -2r r2 b b2,35 мм.
488
28 SOIC (0,295, Ирин 7,50 мм)
2,5 мгт μW0,7-/мкс V/μS5V VDACVOLTAGE - Buffered -Surface MORT
673
16-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм)
145 мвт μW1,25 -V86 DB DBDACCURRENT - nedowerennnnыйporхnostath montaжa -ystoчnip r1,5 b B800 мкм 5 ммм
723
28 SOIC (0,295, Ирин 7,50 мм)
650 мт μW10V VDACVoltage -буфер
638
24 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм)
550 мт μW1,2 В vdaccurrent - nebkolnanan svodh
973
160-LFBGA, CSPBGA
209 мг.
184
56-VFQFN PAD, CSP
1 ytmkv2-/mks v/μs10v vdacvoltage -буфериальное -поверхное крепление r -2r r1 b b.3.94 мм мм 11,58 мммм
118
28-LCC (J-Lead)
35 мт μwdacvoltage - буферизованное отверстие r -2r r1,5 b b3,3 мм мкм 6,35 мм мм
835
24-DIP (0,300, 7,62 ММ)
Как мы можем вам помочь?