Все продукты

FF200R12KS4HOSA1

IGBT Array & Module Transistor, n -Kanal, 275 A, 3,2 В, 1,4К, 1,2 кв, моду

Проиджоделх: Infineon Technologies
Origchip №: 376-FF200R12KS4HOSA1
Епаково: Модул
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 108
Описани: IGBT Array & Module Transistor, n -Kanal, 275 A, 3,2 В, 1,4К, 1,2 К., Модул (К.)

Поку Ипрос

Покупра

Весельнее
Мы настоятельно рекомендуем вам войти в систему перед покупкой, поскольку вы можете отслеживать свой заказ в режиме rernogo vremenyni.

Плате

Дл -вуд -мг -мкринимайм. псевдод.

Rfq (зaproys nanaitatы)

RonkomeNyOtsemy -aproytth
Начиная с того, что я не знаю, что

Вес

1. (Poжaluйsta, ne abudate oprowriotth papku -spama, esli -ne -ne -slышali Ot nas).
2. Сообщите, что -то вроде.

Степ

ДОПОЛНИТЕЛЬНО 40 ДОЛЛОРОВ, НЕКОТОРСКА Naprimer (южnamana apaprika, braзilaipa, Индель
Otsnownoй gruз (ophotwytwathyй ≤0,5.

МЕСТОДОД

В.Е.

Срок.Постаски

Пео, КОН, КОДА, ПРЕДАПОН

FedEx International, 5-7 RABOSHIх DNEй.

Назнайджеский и 1 -го.
transport

Парметр
Верна -	20
Управый	Винт
МОНТАНАНГИП	ШASCI
PakeT / KORPUES	Модул
Колист	7
MATERIOLTRANSHOTORA	Кремни
Rraboч -yemperatura	-40 ° C ~ 125 ° C.
Опуликовано	2002
PBFREE CODE	в дар
Статус	Актифен
Вернояж	1 (neograniчennnый)
Колист	7
КОД ECCN	Ear99
Доленитейн Ая	Бы -постр
Терминала	Вергини
Терминаланая	НЕВЕКАНА
Поседл	7
Колист	2
Коунфигура	2 neзaviymый
Коунфигуразия	Дон
R.	1,4 кст
Слюна	Иолирована
Синла - МАКС	1400 Вт
Пола	N-канал
Wshod	Станода
NapraheneEnee -yзlouhatelelelekelekshyonera (vceo)	1,2 кв
МАККСКОЛЕРНА	275A
Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS)	5 май
Naprahenee raзobipkiklouhatelelelelelelekelelelelelekelelelelelelekelelelelekeleleleles	1,2 кв
Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks	1200
Napryaenee hanshenhyna anassheonhyna -ollekshyonera	3,2 В.
Klючite -wreman	180 млн
Vce (on) (max) @ vge, ic	3,7 В @ 15 В, 200A
Верхите-мему-nom (toff)	590 м
NTC Thermistor	Не
Odnana emcostath (cies) @ vce	13nf @ 25V
Статус Ройс	ROHS COMPRINT

СМ. С.